碳化硅纳米粉

通过傅立叶变换红外吸收光谱、紫外-可见透射光谱、高分辨透射电镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜等技术对纳米碳化硅的微观结构进行了表征和分析。
分子式

以廉价有机硅烷反应物二甲基二乙氧基硅烷为原料 ,采用激光气相法合成了纳米SiC粉。
详细研究了载气对粉体产率的影响 ,并对粉体的合成方法、结构及其性能进行了探讨1　前言激光诱导化学气相沉积 (ＬＩＣＶＤ)技术于八十年代初创始于美国ＭＩＴ能源实验室和材料系。
由于ＬＩＣＶＤ法制取的纳米粉体粒度小、无团聚、粒度分布窄及纯度高等优点 ,引起了科学工作者的广泛关注和深入研究。
尽管对如何降低成本、提高产率进行了有益

碳化硅纳米粉是基于燃烧的方法合成的,燃烧合成在还原SiO2-Mg-C系统中进行,具有不同形态和平均粒径尺寸的二氧化硅粉作为初始粉末。
结果说明,甚至可以用微米级的二氧化硅来合成纳米级的碳化硅粉。
然而,合成的SiC颗粒的比表面积随二氧化硅前躯体粒径的减小而增大。
对燃烧

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