以廉价有机硅烷反应物二甲基二乙氧基硅烷为原料,采用激光气相法合成了纳米SiC粉。
详细研究了载气对粉体产率的影响,并对粉体的合成方法、结构及其性能进行了探讨。
激光制备碳化硅纳米粉的研究
[期刊论文] 粉末冶金技术
--2001, 19(3)
俞肇元
贺春林
张滨
刘常升
国玉军
通过傅立叶变换红外吸收光谱、紫外-可见透射光谱、高分辨透射电镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜等技术对纳米碳化硅的微观结构进行了表征和分析。
分子式:
CAS号:
性质:
以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。
通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用,获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。
使用温度达1400℃。
是一种重要的高温结构陶瓷。
用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。
采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
碳化硅纳米粉是基于燃烧的方法合成的,燃烧合成在还原SiO2-Mg-C系统中进行,具有不同形态和平均粒径尺寸的二氧化硅粉作为初始粉末。
结果说明,甚至可以用微米级的二氧化硅来合成纳米级的碳化硅粉。
然而,合成的SiC颗粒的比表面积随二氧化硅前躯体粒径的减小而增大。
对燃烧波中碳化硅的形成机理也进行了讨论。
碳化硅基纳米复相陶瓷粉体的分散、超高压成型及无压烧结 - 豆丁网
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