> 碳化硅加工工艺
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(366505440001)制备碳化硅单晶的方法(简介)本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，其能快速、稳定和连续地生长高质量碳化硅单晶，并既能增加块状单晶尺寸又能提高薄膜单晶质量，该方法包括：
从底部按顺序堆叠碳化硅源材料棒、溶剂、晶种和在其底端支撑晶种的支撑棒，以形成柱状工件，加热作为柱状工件底端的源材料棒底端，并冷却作为柱状工件顶端的支
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