> 碳化硅工艺
对均热法、热梯度法和压差－温度梯度法三种化学气相渗ＳｉＣ工艺进行了研究，结果表明：
三种方法制备周期依次缩短。
均热法适合制备形状复杂的样品，提高沉积效率靠增大沉积炉和多放样品来实现，整个过程受气体自由扩散所控制；热梯度法适合制备形状简单、规则的薄壁试样，每炉只能做一个，过程主要受样品内外温度梯度所控制，用该法可以制备出成分连续变化的功能梯度材料；压差－温度梯度法适合制备板状、圆筒状厚壁样品，过程受样品两侧的温度差和气体压力差所控制。
三种方法各有优缺点。
根据需要可灵活运用。
化学气相渗（ＣＶＩ）碳化硅工艺研究刘文川，魏永良
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